产品分类 |
分离式半导体产品 >> FET - 单 |
PSMN7R0-100ES,127 PDF |
|
标准包装 |
50 |
系列 |
- |
FET 型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物
|
FET 特点 |
标准
|
漏极至源极电压(Vdss) |
100V
|
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
100A
|
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
6.8 毫欧 @ 15A,10V
|
Id 时的 Vgs(th)(最大) |
4V @ 1mA
|
闸电荷(Qg) @ Vgs |
125nC @ 10V
|
输入电容 (Ciss) @ Vds |
6686pF @ 50V
|
功率 - 最大 |
269W
|
安装类型 |
通孔
|
封装/外壳 |
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
|
供应商设备封装 |
I2PAK
|
包装 |
管件
|
其它名称 |
568-7516-5 PSMN7R0-100ES,127-ND
|